由香港貿(mào)發(fā)局發(fā)起港深聯(lián)合科技考察團，今天對韓國斗山集團和京畿道科技園進行訪問，此次港深聯(lián)合科技考察團訪問受到韓國熱情招待和高度重視，港深聯(lián)合科技考察團訪與韓國企業(yè)開展一系列交流活動，在現(xiàn)場韓國企業(yè)向港深聯(lián)合科技考察團展示多項科研成果和公司最新發(fā)展技術(shù)。
2019-07-12 17:41:02
在目前的合金材料體系中，Ga是一種非磁性元素。在Cu50Mn25Al25-xGax合金體系中，當Cu和Mn的濃度不變時，Al的濃度變化不大。據(jù)報道，Mn-Mn耦合對Cu50Mn25Al25合金的磁性能起著重要作。如前所述，Ga的取代會增加晶格中的Mn-Mn距離。這是由于晶格常數(shù)的增加(見表1)。因此，合金材料可以觀察到磁化強度的降低是由于晶格常數(shù)的增加，減少了Cu50Mn25Al25-xGax合金
2021-06-02 11:06:47
合金材料在熱處理過程中的相變行為分析合金在903K下退火30小時，XRD譜圖顯示存在Cu2MnAl、β-Mn和γ-Cu9Al4相。退火過程中Cu2MnAl相的分解反應(yīng)導(dǎo)致了這兩種相的出現(xiàn)?；谇叭藢u-Mn-Al合金分解過程的研究表明，在800 ~ 900 K退火溫度下，Cu2MnAl相是亞穩(wěn)態(tài)的，可以分解為β-Mn和γ-Cu9Al4相。Cu2MnAl→β-Mn + γ-Cu9Al4。然而，x
2021-06-02 11:02:18
鎳鐵合金材料Pt器件從LRS切換到HRS。當在1.8 ~ 2.2 V電壓范圍內(nèi)增加電壓發(fā)生軟擊穿時，器件由HRS切換為LRS。鎳鐵合金材料具有反尖晶石結(jié)構(gòu)，其Fe-O鍵比Ni-O鍵更強，導(dǎo)致氧空位形成。顯示了改變Fe3+和Ni2+離子的價態(tài)時的磁還原效應(yīng)。氧空位和陽離子的還原可能導(dǎo)致磁化強度的降低和電導(dǎo)率的增加。由于氧空位的湮沒(熱效應(yīng)驅(qū)動)和陽離子價的變化(復(fù)位過程中的氧化還原效應(yīng))導(dǎo)致了絲的斷
2021-06-02 11:01:00
納米多孔金屬合金(npm)是納米結(jié)構(gòu)材料的典型類型，具有有趣的特性，在催化、傳感器、致動器、燃料電池、微流體控制器等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。npm因其獨特的孔隙結(jié)構(gòu)、大比表面積和高電導(dǎo)率而具有多種優(yōu)越的物理化學(xué)性能，引起了人們對其電催化性能的廣泛研究，并極大地拓展了其在催化劑、電化學(xué)傳感、電催化等領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。能量系統(tǒng)。脫合金是一種具有三維雙連續(xù)互穿通道結(jié)構(gòu)的納米級npm材料，近年來受到越來越多
2021-06-02 10:59:55
采用MOD方法制備了鎳鐵合金材料、CoFe2O4和MnFe2O4納米鐵氧體薄膜。為鎳鐵合金材料、CoFe2O4和MnFe2O4薄膜的XRD譜圖。少量的α-Fe2O3相也作為雜質(zhì)相形成。根據(jù)鎳鐵合金材料、CoFe2O4和MnFe2O4的XRD數(shù)據(jù))計算了其晶格常數(shù)。這些晶格常數(shù)計算值更接近體塊分別為鎳鐵合金材料、CoFe2O4和MnFe2O4薄膜的AFM圖像。其微觀結(jié)構(gòu)均勻，納米晶粒尺寸分布均勻。薄
2021-06-01 15:00:39
納米復(fù)合金材料中Ce摻雜CoFe2O4納米粒子的鐵磁有序性，采用化學(xué)燃燒法制備了核殼納米粒子。XRD衍射結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有立方空間群尖晶石結(jié)構(gòu)。從TEM圖像可以看出，CFCeO05和CFCeO10樣品的平均粒徑分別為D = 8和10 nm。顯示了CFCeO05和CFCeO10在Ms = 42.54和10.41 emug?1,Mr = 26.68和1.57,emug?1 Hc = 1526和140
2021-06-01 14:59:29
金屬合金材料最近由于其反尖晶石結(jié)構(gòu)，納米陽離子占用得到了修飾。MCe的凈矩理論表達式為其中MA和MB是Fe3+陽離子的ww固定在5μB僅自旋，八面體配位Co2+陽離子固定在3.8，這對應(yīng)于bulk CFO在0 K時的Msat。反磁Ce4+離子的凈磁矩μCe為零，順磁Ce3+離子的凈磁矩為非零。用Ce3+取代Fe3+后，金屬合金材料隨著電子在4f層的順序填充，Ms將以μCe的形式變化。不太可能，根據(jù)
2021-06-01 14:54:03
銅合金材料顯示了MgFe2O4薄膜的濕度響應(yīng)在25℃，10-90% RH范圍內(nèi)測量。400℃退火的薄膜的基電阻從59 GΩ增加到30 TΩ， 800℃退火。影響鐵氧體電阻的因素有氣孔率、空位率和Fe2+與Fe3+之間的電子跳躍等。在目前的研究中，這可能是由于較高的退火溫度增加了平均孔徑分布，銅合金材料從而進一步對載流子的運動造成了更多的阻礙。從可以看出，退火溫度越高，隨著濕度10 ~ 90% 相對
2021-06-01 14:50:52
非晶合金的微觀組織等結(jié)晶合金的鑄造組織、金屬間化合物和相偏析特征被最終的多孔組織繼承。初始金屬間相的種類、化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)通常導(dǎo)致多模態(tài)納米多孔結(jié)構(gòu)的形成。而非晶合金則表現(xiàn)出許多優(yōu)點，尤其是合金成分分布均勻，化學(xué)成分不偏析，顯微組織不均勻。非晶態(tài)前驅(qū)體中晶界的缺失、大尺度的相偏析和金屬間化合物的存在是npm高均勻性的主要原因。非晶合金具有無序的原子尺度結(jié)構(gòu)，不存在弱位即晶體材料典型的晶粒/相邊界
2021-05-31 11:43:40
最近對Cu基合金納米結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)、微觀結(jié)構(gòu)和磁性的研究。合金的生長和不同的表征，第二部分討論了納米鐵氧體的磁性能。合成了Cu50Mn25Al25合金。x≤8的合金形成Cu2MnAl結(jié)構(gòu)的單相。Ga含量的進一步增加導(dǎo)致γ-Cu9Al4型相和Cu2MnAl 相的形成。隨著Ga濃度的增加，合金的飽和磁化強度(Ms)略有下降。條帶的退火顯著改變了Cu50Mn25Al25-xGax合金的磁性能。觀察了合金在零
2021-05-31 11:42:13
合金材料中的磁晶耦合產(chǎn)生了磁形狀記憶效應(yīng)和其他性能。這些使得合金具有非常有趣的磁性。合金可以研究一系列有趣的不同的磁性現(xiàn)象，如巡回和局部磁性、反鐵磁性、日磁性、泡利順磁性或重費米子行為。幾種合金，如Ni2MnGa、Co2NbSn等，在低溫下經(jīng)歷從高度對稱立方奧氏體到低對稱馬氏體的馬氏體轉(zhuǎn)變。與原子序-序相變不同，馬氏體相變是由晶體中原子的非擴散協(xié)同運動引起的。當合金處于馬氏體相時，表現(xiàn)出磁性形狀記
2021-05-31 11:40:55
鎳鐵合金材料采用尖晶石鐵素體一般公式是占據(jù)四面體(A)和八面體[B]位的二價和三價陽離子。為NiFe2O4的反尖晶石結(jié)構(gòu)。反尖晶石有一般公式。對于普通尖晶石AB2O4, A2+占據(jù)了1/8的fcc四面體位， B3+占據(jù)了32個八面體位中的16個。鎳鐵合金材料采用反尖晶石結(jié)構(gòu)，Ni2+的八面體位和Fe3+均勻分布在O2?fcc電池的八面體位和四面體位之間。完整的結(jié)構(gòu)結(jié)晶成一個立方體系oh7，空間群為
2021-05-31 11:39:30
鋁基復(fù)合材料外來原子固溶于基體中后，一方面能阻礙錯位運動，另方面由于外來原子與基體金屬原子直徑不同，會使晶格畸變，產(chǎn)生應(yīng)變場，且會與位錯發(fā)生交互作用。溶質(zhì)原子作為位錯運動的阻礙，提升塑性抗力，這是兩方面的原因造成的：一是溶質(zhì)原子引起晶格畸變，增加位錯密度，鋁基復(fù)合材料溶質(zhì)原子造成的晶格畸變程度和溶解度因溶質(zhì)原子與溶劑原子的差異及溶解的不同而不同，溶質(zhì)原子溶的越多，晶格就畸變得越嚴重，強化效果就越大
2021-05-28 11:00:04
鎳合金材料采用ULTIMA 2順序原子發(fā)射光譜法，采用電感耦合等離子體(ICP)原子發(fā)射光譜法(AES)直接同時測定溶液中的鈦和鎳。浸沒后，還對表面形貌和逐層成分進行了研究。測量離子釋放到溶液中的結(jié)果所示。鎳合金材料在酸性和中性介質(zhì)中腐蝕不明顯，鎳的濃度低于所引用的平均量級;然而，鈦含量顯示在溶液中。在堿性環(huán)境和人工等離子體中沒有所有樣品的檢測結(jié)果，鎳合金材料在酸度為3.56-6.31的溶液中也沒
2021-05-28 11:00:11
鈦合金材料亮斑和暗斑的組成不同亮斑中顯示出高含量的氧化鈦，暗斑中顯示出高含量的碳。兩層鈦合金材料厚度均達到3 μm，且不相互疊加。人們認為，如此鈦合金材料厚的表面層是線材生產(chǎn)過程中長時間的中間熱處理的結(jié)果。因此，最可能的情況是，退火15分鐘對改變成分的特性沒有影響。碳存在于鋼絲表面，可能是由于含石墨的潤滑劑在拉絲過程中使用，鈦合金材料停留在鋼絲表面，然后在退火過程中粘住。在鈦合金材料觀察到同樣的效
2021-05-28 16:00:21
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